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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.234694
10
¥11.542169
100
¥10.888837
500
¥10.272484
1000
¥9.691025
Infineon Technologies IPS80R900P7
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- 对比
IPS80R900P7
1211-IPS80R900P7
无类别的
PG-TO251-3
大陆
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N-Channel 800V 6A(Tc) 3.5V @ 110uA 900mΩ @ 2.2A,10V 45W (Tc) PG-TO251-3 MOSFET RoHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPS80R900P7详情
Infineon Technologies IPS80R900P7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO251-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
900mΩ @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 110uA
漏源电压 (Vdss)
800V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
6A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
45W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPS80R900P7拓展信息






哦! 它是空的。