Infineon Technologies IPSA70R750P7S
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IPSA70R750P7S
1211-IPSA70R750P7S
无类别的
PG-TO251-3
大陆
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N-Channel 700V 6.5A 3.5V @ 70uA 750mOhm @ 1.4A, 10V 34.7W (Tc) PG-TO251-3 MOSFET RoHS
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IPSA70R750P7S详情
Infineon Technologies IPSA70R750P7S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TO251-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 70uA
漏源电压 (Vdss)
700V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
6.5A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
34.7W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPSA70R750P7S拓展信息







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