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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥89.829463
10
¥84.744776
100
¥79.947902
500
¥75.42255
1000
¥71.153348
Infineon Technologies IPT65R033G7
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- 对比
IPT65R033G7
1211-IPT65R033G7
无类别的
PG-HSOF-8
大陆
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N-Channel 650V 69A(Tc) 4V @ 1.44mA 33mΩ @ 28.9A,10V 391W(Tc) PG-HSOF-8 MOSFET RoHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPT65R033G7详情
Infineon Technologies IPT65R033G7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-HSOF-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
33mΩ @ 28.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.44mA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
69A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
391W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPT65R033G7拓展信息






哦! 它是空的。