注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.20607
10
¥11.51516
100
¥10.863358
500
¥10.248452
1000
¥9.66835
Infineon Technologies IPU80R1K0CE
- 收藏
- 对比
IPU80R1K0CE
1211-IPU80R1K0CE
无类别的
PG-TO251-3
大陆
立即发货

MOSFET N-Ch 800V 5.7A IPAK-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPU80R1K0CE详情
Infineon Technologies IPU80R1K0CE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO251-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 250uA
漏源电压 (Vdss)
800V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
5.7A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
83W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPU80R1K0CE拓展信息






哦! 它是空的。