Infineon Technologies IPU80R2K0P7
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IPU80R2K0P7
1211-IPU80R2K0P7
无类别的
PG-TO251-3
大陆
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N-Channel 800V 3A(Tc) 3.5V @ 50uA 2mΩ @ 940mA,10V 24W (Tc) PG-TO251-3 MOSFET RoHS
1最小包装量--
IPU80R2K0P7详情
Infineon Technologies IPU80R2K0P7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO251-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
2mΩ @ 940mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 50uA
漏源电压 (Vdss)
800V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
3A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
24W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPU80R2K0P7拓展信息







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