Infineon Technologies IPW65R110CFD
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IPW65R110CFD
1211-IPW65R110CFD
无类别的
TO-247
大陆
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MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
--最小包装量--
IPW65R110CFD详情
Infineon Technologies IPW65R110CFD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-247
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
110mΩ @ 12.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1.3mA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
31.2A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
277.8W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPW65R110CFD拓展信息







哦! 它是空的。