注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.428204
10
¥8.894533
100
¥8.391071
500
¥7.916099
1000
¥7.46802
Infineon Technologies IRFD9120PbF
- 收藏
- 对比
IRFD9120PbF
1211-IRFD9120PbF
无类别的
HEXDIP
大陆
立即发货

P-Channel -100V 1A 4V @ 250uA 600mΩ @ 600mA,10V 1.3W HEXDIP MOSFET RoHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFD9120PbF详情
Infineon Technologies IRFD9120PbF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
HEXDIP
包装
Tube-packed
场效应管类型
P Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mΩ @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250uA
漏源电压 (Vdss)
-100V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
1A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
1.3W
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFD9120PbF拓展信息






哦! 它是空的。