Infineon Technologies IRHG567110

表面安装

NO

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRHG567110

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.19

Drain Current-Max (ID)

1.6 A

Number of Elements

4

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDIP-T14

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-036AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.96 A

漏极-源极导通最大电阻

0.29 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6.4 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.4 W