Infineon Technologies ISS55EP06LM
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ISS55EP06LM
1211-ISS55EP06LM
无类别的
PG-SOT23-3
大陆
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P-Channel -60V 180mA 2V @ 11?A 5.5Ohm @ 180mA, 10V 400mW PG-SOT23-3 MOSFET RoHS
1最小包装量--
ISS55EP06LM详情
Infineon Technologies ISS55EP06LM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-SOT23-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
P Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5Ohm @ 180mA, 10V
漏源电压 (Vdss)
-60V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
180mA
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
400mW
RoHS状态
符合RoHS标准
ISS55EP06LM拓展信息







哦! 它是空的。