Infineon Technologies S29GL128S10DHB013
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S29GL128S10DHB013
1211-S29GL128S10DHB013
存储器
LAE-64
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NOR Flash Ser NOR Flash Memory 20
1最小包装量--
S29GL128S10DHB013详情
Infineon Technologies S29GL128S10DHB013重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
LAE-64
引脚数
64
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Supply Voltage-Min
2.7 V
Active Read Current - Max
60 mA
Timing Type
Asynchronous
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 105 C
Qualification
AEC-Q100
Memory Types
NOR
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2200
Tradename
MirrorBit
Supplier Package
FBGA
Typical Operating Supply Voltage
3.0000 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
ECC Support
无
Block Organization
Symmetrical
Interface Type
Parallel
Number of Words
8 MWords
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Cell Type
NOR
Mounting
表面贴装
Supply Voltage-Max
3.6 V
Usage Level
Automotive grade
系列
S29GL128S
包装
切割胶带
操作温度
-40 to 105 °C
内存大小
128 Mbit
速度
100 ns
电源电流-最大值
60 mA
建筑学
Sectored
数据总线宽度
16 bit
组织结构
8 M x 16
地址总线宽度
23 Bit
密度
128 Mb
筛选水平
汽车
编程电压
2.7, 3.6 V
引导模块
有
S29GL128S10DHB013拓展信息
Infineon
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