Infineon Technologies S80KS5123GABHM020
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S80KS5123GABHM020
1211-S80KS5123GABHM020
存储器
24-VBGA
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HYPERRAM
--最小包装量--
S80KS5123GABHM020详情
Infineon Technologies S80KS5123GABHM020重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
24-VBGA
供应商器件包装
24-FBGA (6x8)
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Base Product Number
S80KS5123
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
676
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
操作温度
-40°C ~ 125°C (TA)
包装
Tray
子类别
Memory & Data Storage
电压 - 供电
1.7V ~ 2V
内存大小
512Mbit
时钟频率
200 MHz
访问时间
35 ns
内存格式
PSRAM
内存接口
SPI - Octal I/O
写入周期时间 - 字符、页面
35ns
产品类别
DRAM
产品类别
DRAM
组织的记忆
64M x 8
S80KS5123GABHM020拓展信息
Infineon Technologies
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