Infineon Technologies SDT04S60

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

引脚数

2

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

36.5W

包装

Tube

系列

CoolSiC™+

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

应用

GENERAL PURPOSE

HTS代码

8541.10.00.80

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

200μA @ 600V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.9V @ 4A

箱体转运

CATHODE

正向电流

4A

最大反向漏电电流

200μA

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

最大浪涌电流

12.5A

输出电流-最大值

4A

平均整流电流（Io）

4A DC

正向电压

1.7V

最大反向电压（DC）

600V

平均整流电流

4A

相位的数量

1

反向恢复时间

0 s

最大重复反向电压(Vrrm)

600V

电容@Vr, F

150pF @ 0V 1MHz

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅