Infineon Technologies SP001434884
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SP001434884
1211-SP001434884
无类别的
TO-261-3
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SP001434884详情
Infineon Technologies SP001434884重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-3
供应商器件包装
PG-SOT223
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)
5W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
CoolMOS™ CE
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 130µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
280 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
SP001434884拓展信息







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