Infineon Technologies SPB20N60C3
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SPB20N60C3
1211-SPB20N60C3
无类别的
TO-263-2
大陆
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MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
1最小包装量--
SPB20N60C3详情
Infineon Technologies SPB20N60C3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-263-2
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
190mΩ @ 13.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
20.7A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
208W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
SPB20N60C3拓展信息







哦! 它是空的。