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Infineon Technologies SPP11N60C3
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SPP11N60C3
1211-SPP11N60C3
无类别的
PG-TO220
大陆
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MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
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SPP11N60C3详情
Infineon Technologies SPP11N60C3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO220
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mΩ @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 500uA
漏源电压 (Vdss)
600V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
11A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
125W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
SPP11N60C3拓展信息
公司资质
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