Infineon Technologies AG HFB25HJ20

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

ECCN (US)

EAR99

Peak Reverse Repetitive Voltage (V)

200

Maximum Continuous Forward Current (A)

25

Peak Non-Repetitive Surge Current (A)

150

Peak Forward Voltage (V)

1.19@50A

Peak Reverse Current (uA)

10

Maximum Power Dissipation (mW)

70000

Peak Reverse Recovery Time (ns)

35

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Standard Package Name

SMD

Supplier Package

SMD-0.5

Military

无

Mounting

表面贴装

Package Height

2.61(Max)

Package Length

7.64(Max)

Package Width

10.28(Max)

PCB changed

3

Lead Shape

No Lead

Package Description

HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HFB25HJ20

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Forward Voltage-Max (VF)

1.19 V

Risk Rank

5.61

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

类型

开关二极管

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

超快软恢复

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

单双阳极

二极管类型

接收电极

箱体转运

CATHODE

输出电流-最大值

25 A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

最大非代表Pk前进电流

150 A

反向恢复时间-最大值

0.035 µs

RoHS状态

RoHS non-compliant