Infineon Technologies AG HYB25D256400CE-5
- 收藏
- 对比
HYB25D256400CE-5
1211-HYB25D256400CE-5
存储器
--
大陆
立即发货

DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
1最小包装量--
HYB25D256400CE-5详情
Infineon Technologies AG HYB25D256400CE-5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
66
终端数量
66
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code
TSOP2
Package Description
TSOP2,
Access Time-Max
0.6 ns
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
64MX4
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
4
记忆密度
268435456 bit
内存IC类型
DDR1 DRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.7 V
电压 - 供电 (最小值)
2.3 V
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
22.22 mm
宽度
10.16 mm
HYB25D256400CE-5拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








哦! 它是空的。