Infineon Technologies AG IDD12SG60C
- 收藏
- 对比
IDD12SG60C
1211-IDD12SG60C
二极管 - 射频
--
大陆
立即发货

Rectifier Diode Schottky 600V 12A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
--最小包装量--
IDD12SG60C详情
Infineon Technologies AG IDD12SG60C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
碳化硅
终端数量
2
ECCN (US)
EAR99
Maximum DC Reverse Voltage (V)
600
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
600
Maximum Continuous Forward Current (A)
12
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
59
Peak Forward Voltage (V)
2.1
Peak Reverse Current (uA)
100
Maximum Diode Capacitance (pF)
310(Typ)
Maximum Power Dissipation (mW)
125000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
TO-252
Military
无
Mounting
表面贴装
Package Height
2.26(Max)
Package Length
6.73(Max)
Package Width
6.22(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Package Description
R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IDD12SG60C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Forward Voltage-Max (VF)
2.1 V
Risk Rank
5.81
Part Package Code
TO-252
包装
卷带
无铅代码
有
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
类型
肖特基二极管
应用
GENERAL PURPOSE
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
研磨二极管
技术
SCHOTTKY
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
Single
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
输出电流-最大值
12 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
600 V
JEDEC-95代码
TO-252
最大非代表Pk前进电流
51 A
RoHS状态
符合RoHS标准
IDD12SG60C拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。