INFINEON TECHNOLOGIES AG IRF6621
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IRF6621
1211-IRF6621
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IRF6621详情
INFINEON TECHNOLOGIES AG IRF6621重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XBCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12A
漏极-源极导通最大电阻
0.0091Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
96A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
13 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF6621拓展信息







哦! 它是空的。