INFINEON TECHNOLOGIES AG IRFH5301PBF

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

ECCN 代码

EAR99

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQFP-N5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35A

漏极-源极导通最大电阻

0.0029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR