Infineon Technologies AG SIDC26D65C8X1SA1
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SIDC26D65C8X1SA1
1211-SIDC26D65C8X1SA1
二极管 - 射频
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Rectifier Diode 650V 100A 2-Pin Die Wafer
1最小包装量--
SIDC26D65C8X1SA1详情
Infineon Technologies AG SIDC26D65C8X1SA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
包装数量
1
ECCN (US)
EAR99
HTS
8541.10.00.40
Maximum DC Reverse Voltage (V)
650
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
650
Maximum Continuous Forward Current (A)
100(Typ)
Peak Forward Voltage (V)
1.95
Peak Reverse Current (uA)
1.2
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Standard Package Name
Die
Supplier Package
Die
Military
无
Package Length
6.53
Package Width
4.02
PCB changed
2
RoHS
Non-Compliant
包装
Wafer
零件状态
活跃
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-40 °C
引脚数量
2
配置
Single
正向电流
100 A
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
650 V
峰值反向电流
1.2 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
650 V
最大双电源电压
650 V
反向电压
650 V
二极管配置
Single
最大正向浪涌电流(Ifsm)
200 A
最大结点温度(Tj)
175 °C
重复峰值反向电压
650
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SIDC26D65C8X1SA1拓展信息
Infineon Technologies
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