Integrated Device Technology 71256L25YI
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71256L25YI
1179-71256L25YI
无类别的
28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
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Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
1最小包装量--
71256L25YI详情
Integrated Device Technology 71256L25YI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
28-SOJ
终端数量
28
Package
Bulk
Base Product Number
71256L
厂商
IDT, Integrated Device Technology Inc
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
SOJ,
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
25 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
71256L25YI
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.69
Part Package Code
SOJ
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-J28
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
256Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
25 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX8
座位高度-最大
3.556 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
32K x 8
宽度
7.5184 mm
长度
17.9324 mm
71256L25YI拓展信息







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