71256L25YI
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Integrated Device Technology 71256L25YI

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型号

71256L25YI

utmel 编号

1179-71256L25YI

商品类别

无类别的

封装

28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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71256L25YI Integrated Device Technology Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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71256L25YI详情

Integrated Device Technology 71256L25YI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    28-SOJ

  • 终端数量

    28

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    71256L

  • 厂商

    IDT, Integrated Device Technology Inc

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    SOJ,

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Number of Words Code

    32000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Access Time-Max

    25 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    71256L25YI

  • Number of Words

    32768 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    SOJ

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS INC

  • Risk Rank

    5.69

  • Part Package Code

    SOJ

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    4.5V ~ 5.5V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    J BEND

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    28

  • JESD-30代码

    R-PDSO-J28

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 内存大小

    256Kbit

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 访问时间

    25 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    32KX8

  • 座位高度-最大

    3.556 mm

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    25ns

  • 记忆密度

    262144 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 组织的记忆

    32K x 8

  • 宽度

    7.5184 mm

  • 长度

    17.9324 mm

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公司资质

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