Integrated Device Technology 71V2556S133BG
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71V2556S133BG
1179-71V2556S133BG
无类别的
119-BGA
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71V2556S133BG详情
Integrated Device Technology 71V2556S133BG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BGA
表面安装
YES
供应商器件包装
119-PBGA (14x22)
终端数量
119
Package
Bulk
Base Product Number
71V2556
厂商
IDT, Integrated Device Technology Inc
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
Package Style
网格排列
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
4.2 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
71V2556S133BG
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.66
Part Package Code
BGA
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
端子表面处理
锡银铜
附加功能
流水线结构
技术
SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
电压 - 供电
3.135V ~ 3.465V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.465 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
内存大小
4.5Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133 MHz
访问时间
4.2 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX36
座位高度-最大
2.36 mm
内存宽度
36
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
4718592 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
ZBT SRAM
组织的记忆
128K x 36
宽度
14 mm
长度
22 mm
71V2556S133BG拓展信息







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