Integrated Device Technology 71V3556S200PF
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71V3556S200PF
1179-71V3556S200PF
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ZBT SRAM, 128KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100
--最小包装量--
71V3556S200PF详情
Integrated Device Technology 71V3556S200PF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
100
Package Description
QFP, QFP100,.63X.87
Package Style
FLATPACK
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP100,.63X.87
Access Time-Max
3.2 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
71V3556S200PF
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
QFP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.91
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
端子间距
0.635 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
不合格
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.4 mA
组织结构
128KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.04 A
记忆密度
4718592 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
ZBT SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
71V3556S200PF拓展信息







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