71V3556S200PF
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Integrated Device Technology 71V3556S200PF

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型号

71V3556S200PF

utmel 编号

1179-71V3556S200PF

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

ZBT SRAM, 128KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100

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71V3556S200PF
71V3556S200PF Integrated Device Technology ZBT SRAM, 128KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100

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71V3556S200PF详情

Integrated Device Technology 71V3556S200PF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    100

  • Package Description

    QFP, QFP100,.63X.87

  • Package Style

    FLATPACK

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    128000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    QFP100,.63X.87

  • Access Time-Max

    3.2 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    71V3556S200PF

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    200 MHz

  • Number of Words

    131072 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • Package Code

    QFP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Integrated Device Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.91

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn85Pb15)

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    鸥翼

  • 端子间距

    0.635 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    R-PQFP-G100

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    3.3 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.4 mA

  • 组织结构

    128KX36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    36

  • 待机电流-最大值

    0.04 A

  • 记忆密度

    4718592 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    ZBT SRAM

  • 待机电压-最小值

    3.14 V

0个相似型号

71V3556S200PF拓展信息

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公司资质

ISO13485
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