Integrated Device Technology 71V35761S200BQ
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71V35761S200BQ
1179-71V35761S200BQ
无类别的
165-TBGA
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Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
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71V35761S200BQ详情
Integrated Device Technology 71V35761S200BQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-TBGA
供应商器件包装
165-CABGA (13x15)
Package
Bulk
Base Product Number
71V35761S
厂商
IDT, Integrated Device Technology Inc
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
技术
SRAM - Synchronous, SDR
电压 - 供电
3.135V ~ 3.465V
内存大小
4.5Mbit
时钟频率
200 MHz
访问时间
3.1 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
-
组织的记忆
128K x 36
71V35761S200BQ拓展信息







哦! 它是空的。