Integrated Device Technology IDT6168LA55DB

表面安装

NO

终端数量

20

Package Description

0.300 INCH, CERDIP-20

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

4000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP20,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT6168LA55DB

Number of Words

4096 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.8

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

20

JESD-30代码

R-GDIP-T20

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.08 mA

组织结构

4KX4

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

4

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

输出启用

NO

宽度

7.62 mm

长度

25.3365 mm