Integrated Device Technology IDT71V124S20Y
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IDT71V124S20Y
1179-IDT71V124S20Y
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
--最小包装量--
IDT71V124S20Y详情
Integrated Device Technology IDT71V124S20Y重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Package Description
0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000
Part Package Code
SOJ
Risk Rank
5.57
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOJ
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
131072 words
Manufacturer Part Number
IDT71V124S20Y
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
20 ns
Package Equivalence Code
SOJ32,.44
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.095 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.683 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3 V
输出启用
YES
宽度
10.16 mm
长度
20.955 mm
达到SVHC
not_compliant
IDT71V124S20Y拓展信息







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