Integrated Device Technology IDT7201LA50TDB
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IDT7201LA50TDB
1179-IDT7201LA50TDB
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FIFO, 512X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
1最小包装量--
IDT7201LA50TDB详情
Integrated Device Technology IDT7201LA50TDB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
28
Package Description
DIP, DIP28,.3
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
512
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Equivalence Code
DIP28,.3
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
50 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT7201LA50TDB
Clock Frequency-Max (fCLK)
15 MHz
Number of Words
512 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.01
Part Package Code
DIP
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RETRANSMIT
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
FIFOs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-GDIP-T28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
512X9
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.0009 A
记忆密度
4608 bit
筛选水平
MIL-STD-883 Class B
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
65 ns
宽度
7.62 mm
长度
37.1475 mm
IDT7201LA50TDB拓展信息







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