Integrated Device Technology IDT7203L35TP
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IDT7203L35TP
1179-IDT7203L35TP
逻辑 - FIFO 存储器
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FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
1最小包装量--
IDT7203L35TP详情
Integrated Device Technology IDT7203L35TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
28
Package Description
DIP,
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
2000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
IDT7203L35TP
Number of Words
2048 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.11
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
RETRANSMIT
HTS代码
8542.32.00.71
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T28
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
2KX9
座位高度-最大
4.572 mm
内存宽度
9
记忆密度
18432 bit
并行/串行
PARALLEL
输出启用
NO
周期
45 ns
宽度
7.62 mm
长度
34.671 mm
IDT7203L35TP拓展信息
IDT
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