Integrated Device Technology IDT7206L35J
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IDT7206L35J
1179-IDT7206L35J
逻辑 - FIFO 存储器
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FIFO, 16KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
1最小包装量--
IDT7206L35J详情
Integrated Device Technology IDT7206L35J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Package Description
PLASTIC, LCC-32
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
16000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT7206L35J
Clock Frequency-Max (fCLK)
22.2 MHz
Number of Words
16384 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
7.85
Part Package Code
QFJ
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
附加功能
RETRANSMIT
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
FIFOs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.12 mA
组织结构
16KX9
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.556 mm
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.008 A
记忆密度
147456 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
45 ns
宽度
11.4554 mm
长度
13.9954 mm
IDT7206L35J拓展信息
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