Integrated Device Technology IDT7MMV4101S10BG
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IDT7MMV4101S10BG
1179-IDT7MMV4101S10BG
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Standard SRAM, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
--最小包装量--
IDT7MMV4101S10BG详情
Integrated Device Technology IDT7MMV4101S10BG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
119
Package Description
PLASTIC, BGA-119
Package Style
网格排列
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
10 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT7MMV4101S10BG
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.46
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.295 mA
组织结构
128KX24
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.36 mm
内存宽度
24
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
3145728 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3.15 V
输出启用
YES
宽度
14 mm
长度
22 mm
IDT7MMV4101S10BG拓展信息







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