Integrated Device Technology (IDT) 3CN11G18.4320NSGE8
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3CN11G18.4320NSGE8
1179-3CN11G18.4320NSGE8
振荡器
QFN
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IC OSC CMOS 18.432MHZ 4VFQFN
1最小包装量--
3CN11G18.4320NSGE8详情
Integrated Device Technology (IDT) 3CN11G18.4320NSGE8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
QFN
引脚数
4
包装
Tape & Reel
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
终止次数
4
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
70°C
最小工作温度
-20°C
附加功能
STAND BY; TAPE AND REEL; SUPPLY VOLTAGE 2.5V AND 1.8V ALSO AVAILLABLE
电源电压
3.3V
频率
8MHz
频率稳定性
100 ppm
物理尺寸
5.0mm x 3.2mm x 0.85mm
工作频率
18.432MHz
上升时间-最大值
1ns
最大下降时间
1ns
电源电压-最大值(Vsup)
3.63V
电源
1.8/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.97V
工作电源电流
2mA
振荡器类型
CMOS
输出低电流-最大值
1mA
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
3CN11G18.4320NSGE8拓展信息







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