Integrated Device Technology (IDT) 3CN11G50.0000NSGE
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3CN11G50.0000NSGE
1179-3CN11G50.0000NSGE
振荡器
QFN
大陆
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3CN11G50.0000NSGE详情
Integrated Device Technology (IDT) 3CN11G50.0000NSGE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
QFN
表面安装
YES
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
Fall Time (Max)
1ns
Operating Temperature (Max.)
70°C
Operating Temperature (Min.)
-20°C
Rise Time (Max)
1ns
Symmetry (Max)
45/55%
包装
Bulk
尺寸/尺寸
5.0mm x 3.2mm x 0.85mm
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
终止次数
4
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
STAND BY; TUBE; SUPPLY VOLTAGE 2.5V AND 1.8V ALSO AVAILLABLE
电压 - 供电
3.3V
频率
5MHz
频率稳定性
100 ppm
工作频率
50MHz
电源
1.8/3.3V
振荡器类型
CMOS
输出负载
4 pF
输出低电流-最大值
1mA
电压 - 供电 (最大值)
3.63V
电压 - 供电 (最小值)
2.97V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
3CN11G50.0000NSGE拓展信息
IDT







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