Integrated Device Technology (IDT) 7006S55G
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7006S55G
1179-7006S55G
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SRAM 6Kx8, 128K, 5V DUAL- PORT RAM
1最小包装量--
7006S55G详情
Integrated Device Technology (IDT) 7006S55G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
通孔
引脚数
68
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
包装
Bulk
已出版
2008
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
68
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
端子位置
PERPENDICULAR
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
5V
引脚数量
68
工作电源电压
5V
电源
5V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
5.5V
最小电源电压
4.5V
内存大小
16kB
端口的数量
2
电源电流
250mA
访问时间
55 ns
组织结构
16KX8
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
28b
密度
128 kb
待机电流-最大值
0.015A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
长度
29.46mm
宽度
29.46mm
器件厚度
3.68mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
7006S55G拓展信息









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