Integrated Device Technology (IDT) 7006S55PFG
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7006S55PFG
1179-7006S55PFG
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64
1最小包装量--
7006S55PFG详情
Integrated Device Technology (IDT) 7006S55PFG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
64
Package Description
QFP, QFP64,.6SQ,32
Package Style
FLATPACK
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
16000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP64,.6SQ,32
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
7006S55PFG
Number of Words
16384 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QFP
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.04
Part Package Code
QFP
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
64
JESD-30代码
S-PQFP-G64
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.25 mA
组织结构
16KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
131072 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
宽度
14 mm
长度
14 mm
7006S55PFG拓展信息
IDT
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