Integrated Device Technology (IDT) 70P254L40BYGI
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70P254L40BYGI
1179-70P254L40BYGI
存储器
BGA
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IC SRAM 128KBIT 40NS 81CABGA
1最小包装量--
70P254L40BYGI详情
Integrated Device Technology (IDT) 70P254L40BYGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
BGA
表面安装
YES
引脚数
81
Memory Types
RAM, SRAM
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
81
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
81
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.8V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
界面
Parallel
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04mA
组织结构
8KX16
输出特性
3-STATE
待机电流-最大值
0.000006A
记忆密度
131072 bit
访问时间(最大)
40 ns
I/O类型
COMMON
长度
5mm
宽度
5mm
器件厚度
1mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
70P254L40BYGI拓展信息
IDT
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