Integrated Device Technology (IDT) 70T633S12BFGI8
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70T633S12BFGI8
1179-70T633S12BFGI8
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SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 12ns 208-Pin CABGA T/R
1最小包装量--
70T633S12BFGI8详情
Integrated Device Technology (IDT) 70T633S12BFGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
208
Memory Types
RAM, SRAM
包装
Tape & Reel
已出版
2012
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
208
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
208
工作电源电压
2.5V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
2.6V
最小电源电压
2.4V
端口的数量
2
电源电流
395mA
访问时间
12 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
38b
密度
9 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
18b
长度
15mm
宽度
15mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
70T633S12BFGI8拓展信息
IDT
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