Integrated Device Technology (IDT) 70V07L35PFGI8
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70V07L35PFGI8
1179-70V07L35PFGI8
存储器
LQFP
大陆
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IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
1最小包装量--
70V07L35PFGI8详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V07L35PFGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
包装/外壳
LQFP
表面安装
YES
引脚数
80
Memory Types
RAM, SRAM
包装
Tape & Reel
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
80
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.635mm
引脚数量
80
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3V
界面
Parallel
端口的数量
2
电源电流-最大值
0.155mA
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
15b
密度
256 kb
待机电流-最大值
0.003A
访问时间(最大)
35 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3V
长度
14mm
宽度
14mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
70V07L35PFGI8拓展信息
IDT
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