Integrated Device Technology (IDT) 70V25L55J
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70V25L55J
1179-70V25L55J
存储器
PLCC
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SRAM Chip Async Dual 3.3V 128K-Bit 8K x 16 55ns 84-Pin PLCC Tray
1最小包装量--
70V25L55J详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V25L55J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
PLCC
引脚数
84
Memory Types
RAM, SRAM
已出版
2004
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
引脚数量
84
工作电源电压
3.3V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
端口的数量
2
电源电流
155mA
访问时间
55 ns
组织结构
8KX16
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
26b
密度
128 kb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
待机电压-最小值
3V
长度
29.21mm
宽度
29.21mm
器件厚度
3.63mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
70V25L55J拓展信息
IDT
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