Integrated Device Technology (IDT) 70V261L25PFGI
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70V261L25PFGI
1179-70V261L25PFGI
存储器
TQFP
大陆
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SRAM Chip Async Dual 3.3V 256K-bit 16K x 16 25ns 100-Pin TQFP Tray
1最小包装量--
70V261L25PFGI详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V261L25PFGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
TQFP
引脚数
100
Memory Types
SDR
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
100
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
内存大小
32kB
端口的数量
2
电源电流
185mA
访问时间
25 ns
组织结构
16KX16
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
14b
密度
256 kb
待机电流-最大值
0.003A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
待机电压-最小值
3V
长度
14mm
座位高度(最大)
1.6mm
宽度
14mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
70V261L25PFGI拓展信息
IDT
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