Integrated Device Technology (IDT) 70V3399S133BFGI
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70V3399S133BFGI
1179-70V3399S133BFGI
存储器
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SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 128K x 18 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA Tube/Tray
1最小包装量--
70V3399S133BFGI详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V3399S133BFGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
YES
引脚数
208
Memory Types
RAM, SRAM
包装
Bulk
已出版
2014
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
208
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
频率
133MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
208
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.45V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15V
界面
Parallel
端口的数量
2
电源电流-最大值
0.48mA
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
34b
密度
2.3 Mb
待机电流-最大值
0.04A
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3.15V
长度
15mm
座位高度(最大)
1.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
70V3399S133BFGI拓展信息
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