Integrated Device Technology (IDT) 70V3589S133DRGI8
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70V3589S133DRGI8
1179-70V3589S133DRGI8
存储器
PQFP
大陆
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SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin PQFP T/R
1最小包装量--
70V3589S133DRGI8详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V3589S133DRGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
包装/外壳
PQFP
引脚数
208
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
208
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
频率
133MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
208
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.45V
最小电源电压
3.15V
内存大小
256kB
端口的数量
2
电源电流-最大值
0.48mA
访问时间
25 ns
组织结构
64KX36
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
32b
密度
2.3 Mb
待机电流-最大值
0.04A
I/O类型
COMMON
长度
28mm
座位高度(最大)
4.1mm
宽度
28mm
器件厚度
3.5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
70V3589S133DRGI8拓展信息
IDT
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