Integrated Device Technology (IDT) 70V3599S133BCI
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70V3599S133BCI
1179-70V3599S133BCI
存储器
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SRAM 128Kx36 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM
--最小包装量--
70V3599S133BCI详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V3599S133BCI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
256
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
256
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1mm
频率
133MHz
引脚数量
256
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.45V
最小电源电压
3.15V
内存大小
512kB
端口的数量
2
电源电流
480mA
最大电源电流
480mA
访问时间
25 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
34b
密度
4.5 Mb
待机电流-最大值
0.04A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
17mm
座位高度(最大)
1.7mm
宽度
17mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
70V3599S133BCI拓展信息
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