Integrated Device Technology (IDT) 70V659S12DRGI8

包装/外壳

PQFP

表面安装

YES

引脚数

208

Memory Types

RAM, SRAM

包装

Tape & Reel

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

208

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

0.5mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

208

工作电源电压

3.3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.45V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.15V

界面

Parallel

端口的数量

2

电源电流-最大值

0.515mA

输出特性

3-STATE

地址总线宽度

17b

密度

4.5 Mb

待机电流-最大值

0.015A

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

3.15V

长度

28mm

座位高度(最大)

4.1mm

宽度

28mm

器件厚度

3.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅