Integrated Device Technology (IDT) 71256SA25YG
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71256SA25YG
1179-71256SA25YG
存储器
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大陆
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SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
--最小包装量--
71256SA25YG详情
Integrated Device Technology (IDT) 71256SA25YG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
28
Memory Types
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
28
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
引脚数量
28
工作电源电压
5V
电源
5V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
5.5V
最小电源电压
4.5V
内存大小
32kB
端口的数量
1
电源电流
145mA
访问时间
25 ns
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
15b
密度
256 kb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
座位高度(最大)
3.556mm
宽度
7.6mm
长度
17.9mm
器件厚度
2.67mm
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
无铅
无铅
71256SA25YG拓展信息
IDT
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