Integrated Device Technology (IDT) 7130SA35J
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7130SA35J
1179-7130SA35J
存储器
PLCC
大陆
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SRAM 8K(1KX8)CMOS DUALPORT RAM
1最小包装量--
7130SA35J详情
Integrated Device Technology (IDT) 7130SA35J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
PLCC
引脚数
52
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2008
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
52
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
5V
引脚数量
52
工作电源电压
5V
电源
5V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
5.5V
最小电源电压
4.5V
内存大小
1kB
端口的数量
2
电源电流
165mA
访问时间
35 ns
组织结构
1KX8
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
20b
密度
8 kb
待机电流-最大值
0.03A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
长度
19mm
座位高度(最大)
4.57mm
宽度
19mm
器件厚度
3.63mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
7130SA35J拓展信息
IDT
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