Integrated Device Technology (IDT) 7134LA70CB
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7134LA70CB
1179-7134LA70CB
存储器
DIP
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SRAM Chip Async Dual 5V 32K-Bit 4K x 8 70ns 48-Pin SBCDIP Tube
1最小包装量--
7134LA70CB详情
Integrated Device Technology (IDT) 7134LA70CB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
DIP
引脚数
48
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
Usage Level
Military grade
包装
Bulk
已出版
2005
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
5V
引脚数量
48
工作电源电压
5V
电源
5V
温度等级
MILITARY
界面
Parallel
最大电源电压
5.5V
最小电源电压
4.5V
内存大小
4kB
端口的数量
2
电源电流
220mA
访问时间
70 ns
组织结构
4KX8
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
24b
密度
32 kb
待机电流-最大值
0.004A
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
待机电压-最小值
2V
长度
61.72mm
宽度
15.24mm
器件厚度
3.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
7134LA70CB拓展信息
IDT
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