Integrated Device Technology (IDT) 71V016SA10BF
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71V016SA10BF
1179-71V016SA10BF
存储器
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SRAM 64KX16 CMOS SRAM 3.3V
1最小包装量--
71V016SA10BF详情
Integrated Device Technology (IDT) 71V016SA10BF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
48
Memory Types
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
已出版
2007
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
48
工作电源电压
3.3V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3.15V
内存大小
128kB
端口的数量
1
电源电流
160mA
访问时间
10 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
16b
密度
1 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
长度
7mm
宽度
7mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
71V016SA10BF拓展信息
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