Integrated Device Technology (IDT) 71V321L25TFGI
- 收藏
- 对比
71V321L25TFGI
1179-71V321L25TFGI
存储器
TQFP
大陆
立即发货

SRAM 2Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM
1最小包装量--
71V321L25TFGI详情
Integrated Device Technology (IDT) 71V321L25TFGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
TQFP
引脚数
64
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
64
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
64
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
内存大小
2kB
端口的数量
2
电源电流
130mA
访问时间
25 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
22b
密度
16 kb
待机电流-最大值
0.004A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
待机电压-最小值
2V
长度
10mm
座位高度(最大)
1.6mm
宽度
10mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
71V321L25TFGI拓展信息
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT








哦! 它是空的。