Integrated Device Technology (IDT) 71V416L15BEG
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71V416L15BEG
1179-71V416L15BEG
存储器
TFBGA
大陆
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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 15ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
1最小包装量--
71V416L15BEG详情
Integrated Device Technology (IDT) 71V416L15BEG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
TFBGA
引脚数
48
Memory Types
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
已出版
2012
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.75mm
引脚数量
48
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
内存大小
512kB
端口的数量
1
电源电流
160mA
访问时间
15 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
18b
密度
4 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
待机电压-最小值
3V
长度
9mm
宽度
9mm
器件厚度
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
71V416L15BEG拓展信息
IDT
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